4月17日，长电科技通过官方公众号宣布，已成功完成基于玻璃通孔（TGV）结构与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）工艺的晶圆级射频集成无源器件（IPD）工艺验证。此次验证通过测试结构试制与实测评估，首次证实玻璃基底三维集成无源器件的可制造性与显著性能优势，为5G及6G射频前端与系统级封装（SiP）优化提供关键工程化路径。

据长电科技官方披露，本次技术突破核心在于“玻璃基+三维集成”的架构创新。公司以TGV构建垂直互连骨架，在玻璃基板上直接集成电感、电容等无源元件，替代传统硅基平面结构；同时融合PSPI再布线工艺，实现水平方向高密度精细布线，形成完整三维互连网络。实测数据显示，升级后的3D电感品质因数（Q值）较同等电感值的平面结构提升接近50%，高频损耗大幅降低，整体性能全面优于硅基IPD技术路线。

从技术价值看，玻璃基TGV-IPD方案有效解决传统硅基射频器件的高频损耗大、集成度低、小型化受限等痛点。玻璃基板具备低介电损耗、高绝缘性、低成本等天然优势，搭配TGV三维互连，可大幅提升射频信号传输效率与稳定性，助力射频模组实现轻薄化、高性能与高集成度的统一。这一成果不仅填补国内玻璃基射频IPD工程化空白，更标志长电科技在先进封装射频赛道形成差异化壁垒。

产业层面，5G商用深化与6G技术预研推动射频前端向超宽带、低损耗、小型化快速迭代，传统硅基IPD已难以满足高频场景需求。长电科技此次工艺验证成功，率先实现玻璃基三维射频无源器件的工程化落地，为射频模组厂商提供全新技术选择，有望加速推动5G毫米波、6G太赫兹通信及AI射频前端的产业化进程。

作为领先的封测企业，长电科技近年持续加码先进封装技术研发，在SiP、AiP、2.5D/3D封装等领域已形成完整技术布局。此次TGV-IPD突破，是公司继硅光、CPO技术后的又一关键里程碑，进一步巩固其在射频先进封装领域的领先地位。