• 首页
  • 关于我们
    • 公司简介
  • 产品中心
  • 工程案例
  • 新闻中心
    • 行业资讯
  • 客户留言
  • 人才招聘
  • 联系我们
logo
  • 首页
  • 关于我们
    • 公司简介
  • 产品中心
  • 工程案例
  • 新闻中心
    • 行业资讯
  • 客户留言
  • 人才招聘
  • 联系我们

精选干货

首页      精选干货

谈谈MOS管的电压特性

2020-12-28

在现如今的电源变压器机器设备中,当开关电源电压在200v下列时,电源总开关电力电子器件一般都应用mos管。因此 深入了解MOS管的内部构造和工作中特性对电源变压器技术工程师而言尤为重要,下边就对MOS管的特性做一个简略的剖析。


  一、MOS管的电压特性,在MOS管栅源中间的释放电压在大部分状况下不可以超出20V,在具体运用中输出功率MOS管的栅极电压一般被控制在10V上下。



  二、MOS管的栅源键入电压务必被严苛的拧制在键入电压值以内,即便 键入栅极的电压小于电压值也不是最商业保险的,由于联接华晶MOS管的输电线中存在内寄生电感器效用,当输电线中的内寄生电感器与栅极电容相藕合之后在MOS管的栅极键入端造成振荡电压,振荡电压会毁坏MOS管的空气氧化层。


  三、MOS管导通和截至的一瞬间,漏极的高电压会根据MOS管內部的漏源电容耦合到输出功率MOS管的栅极处,使MOS管损伤。




  四、为了更好地避免 漏极藕合回来的暂态髙压对MOS管栅极的冲击性,一般选用在MOS管栅源中间接一个齐纳二极管来维护MOS管的栅极,可是另外由于齐纳二极管的输出阻抗较高非常容易造成自振荡。如同大家前而所提及的这类自振荡对MOS管是危害的。假如务必在MOS管栅极前面齐纳二极管,那麼能够在MOS管的栅极和齐纳极管中间插进一个5~10欧的小电阻器或在栅源中间接一个小电容(电容值要低于MOS管键入电容的1/50)来清除自振荡。




  根据所述对MOS管电压特性的详细介绍,坚信大伙儿懂了MOS管的电压特性,便捷大伙儿在了解其特性之后在更有效的挑选和应用MOS管。



MOS管_MOSFET_场效应晶体管厂家—深圳飞捷士


深圳飞捷士专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司场馆效应晶体管主要有沟槽型功率MOSFET,超结功率MOSFET,

平面功率MOSFET,提供一站式配单服务,国际知名品牌产品电子元器件,助您足不出户进口全球商品。

回列表

关于我们

  • 公司简介

产品中心

工程案例

  • 产品一
  • 产品二
  • 产品三

新闻中心

  • 行业资讯

客户留言

人才招聘

联系我们

友情链接:
沃尔斯特电子科技有限公司   Copyright © WPG Holdings All rights reserved. 备案号:苏ICP备2022036700号-1 网站地图 网站地图