IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘层栅双极型整流管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘层栅型场效管)构成的复合型全控型电压驱动器式电力工程电子元器件, 兼具MOSFET的高输入电阻和GTR的低导通损耗两层面的优势。GTR饱和状态压减少，载流密度大，但工作电压很大;MOSFET驱动器输出功率不大，电源开关速度更快，但导通损耗大，载流相对密度小。IGBT综合性了之上二种元器件的优势，驱动器输出功率小而饱和状态压减少。特别适合运用于交流电电压为1500V的髙压变流系统软件如交流电动机、软启动器、电源变压器、照明灯具电源电路、牵引带传动系统等行业。一些盆友针对IGBT原理很多人还相对性模糊不清，IGBT归属于非通即断式电源开关。

别以为IGBT读起來很高端大气的觉得，实际上它便是一个并不是连接便是阻隔的电源开关。而操纵着它的电源开关作用便是栅源极电压。栅源极电压是怎样操纵的呢?

当栅源极电压再加上12V时，则会导通IGBT，而当栅源极电压为0或是加的是负压力时，则断掉IGBT，特别注意的是，假如加的是负压力，则这时的关闭为靠谱关闭。IGBT自身并不会变大电压。那麼为什么IGBT可以根据充压方法导通与关闭呢?

IGBT自身有三个端口号，在其中G\S两边充压后，作为半导体材料的IGBT可以将內部的电子转移，让本来中性化的半导体材料变成具有导电性作用，迁移的电子器件具备导电性作用。而当电压被撤出以后，因充压后由电子器件产生的导电性断面则会消退，这时就会有会变为导体和绝缘体。

假如用简略的原理图做剖析得话，那麼如圖，当IGBT的栅极及发射极再加上正电压，那麼兼容MOSFET的IIGBT就会导通，当IGBT导通后，晶体管两方面(集电结、基极)会产生低阻情况，这时晶体管可导通;当IGBT的两方面无电压，则MOSFET就会终止导通，晶体管无法得到电流量提供则晶体管随着终止导通。

IGBT并并不是添加电压后就可以一切正常工作中，当加在IGBT上的电压过低，IGBT不但没法一切正常工作中，还很有可能造成 作用的不稳定。而假如电压高过两方面中间的抗压值，IGBT则会毁坏且不能恢复。

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