什么是肖特基二极管?

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

其优点是：

　　（1）碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件的正向损耗小。

　　（2）碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而 个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V。

　　（3）碳化硅有高的热导率，因此碳化硅功率器件有低的结到环境的热阻。

　　（4）碳化硅器件可工作在高温，碳化硅器件已有工作在600的报道，而硅器件的 工作温度仅为150。

　　（5）碳化硅具有很高的抗辐照能力。

　　（6）碳化硅功率器件的正反向特性随温度和时间的变化很小，可靠性好。

　　（7）碳化硅器件具有很好的反向恢复特性，反向恢复电流小，开关损耗小。碳化硅功率器件可工作在高频（》20KHz）。

　　（8）碳化硅器件为减少功率器件体积和降低电路损耗作出了重要贡献。

其应用是：

毫米波超低功率应用的肖特基二极管

SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。

除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗(指SBD施加额定本振功率时对指定中频所呈现的阻抗，一般在200Ω~600Ω之间)、电压驻波比(一般≤2)和噪声系数等。