我们将要研究的第一个是耗尽型MOSFET。注意，源极和漏极之间的n型材料的连续通道。您会注意到这里是源，这里是漏极，我们有一个连续的n型材料通道。甲电压跨接在源极和漏极将诱导的电流。我们在源极和漏极之间放置一个电压，我们将有电流流过。通道的作用就像一个电阻。这与我们在JFET中看到的非常相似。负电压会降低电流。我们在此处放置一个负电压，它将趋于增加n型沟道的电阻，从而降低电流。较高的正电压会导致通道减小，电阻减小并传导大量电流。

栅极连接到铝，铝通过薄的二氧化硅层与通道绝缘。在这里，我们有我们的大门。这是我们与FET有很大不同的地方，因为这里实际上是金属。这是铝。铝通过一片二氧化硅与通道绝缘。要做的是，栅极与n型材料之间没有电连接，因为它们之间具有绝缘体，但是我们将能够通过该材料感应出电场。栅极与源极和漏极之间没有连接。

三层导致设备名称，因此我们有金属，氧化物，半导体，半导体。这三层导致了设备名称。这里有实际的原理图符号。我们有一个栅极，一个漏极和一个源极，通常连接成三个。但是，有一个第四连接的选项，将在这里结束。这增加了更多的控制权。我们主要关心的是三个连接。

这是p型。除了材料反转外，这与N相同。带有箭头的线也表示此处的源极和漏极之间的连接。同样，除了材料已被颠倒以外，这是相同的事情。

耗尽型MOSFET，在耗尽型MOSFET中，源极和漏极端子之间存在连续的沟道或n型材料。施加电压后，电流可轻松在端子之间流动。MOSFET的金属栅极通过一层二氧化硅与衬底绝缘。